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Détails d'emballage: Boîte en carton
productivité: 1000000000 pcs/week
transport: Ocean,Land,Air
Lieu d'origine: Chine
Soutenir: 7000000000 pcs/week
Certificats : GB/T19001-2008/ISO9001:2008
Code SH: 8541401000
Hafen: SHENZHEN
Type de paiement: T/T,Paypal,Western Union
Incoterm: FOB,EXW,FCA
Modèle: 503PT940D-A3
marque: Meilleure LED
Unités de vente: | Piece/Pieces |
---|---|
Type de colis: | Boîte en carton |
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503PT940D-A3
Phototransistor est également appelée diode PD, 503PT940D-A3 est ah ig vitesse de h et de haute sensibilité photo silicium NPN tran Sistor. Il existe un autre produit similaire - la photodiode. Alors, quelle est la différence entre la photodiode et le phototransistor? En règle générale, le phototransistor peut avoir une sortie plus grande que la photodiode. P hototransistor est de niveau milliampère. Le courant d'obscurité du phototransistor est plus grand. Le temps de réponse de la photodiode est plus court, le temps de réponse du p hototransistor est inférieur à 100 nanosecondes, le temps de réponse du p hototransistor est inférieur à 5-20 microsecondes. La linéarité de la photodiode est meilleure, la linéarité du p hototransistor est pire.Mais la taille de la puce PT est petite, le coût est faible, le coût du p hototransistor est élevé. Le tube phototransistor est plus sensible à l'influence de la température ambiante, la fluctuation du photocourant est importante. L'entrée lumineuse du phototransistor est facilement saturée, ce qui est lié à son facteur d'amplification élevé. Le phototransistor peut être utilisé pour réfléchir et recevoir des occasions de lumière. Le tube photodiode reçoit généralement directement la lumière. 503PT940D-A3 est un phototransistor avec un angle de vision de 20 degrés.
- Size: 5.0*H8.7mm - Chip Number:1 chips - Color: 940nm - Type: Black - Chip brand: tyntek |
- Different color are available - Different wavelength are available
- Warranty: 5 Years
- RoHS, REACH, EN62471 |
- Uniform light output - Long life-solid state reliability
- Low Power consumption
-Anti UV epoxy resin package -High temperature resistance |
* Cette taille est également disponible pour d'autres LED, telles que LED UV, LED IR (LED 810 nm, LED 850 nm ...), LED orange, LED jaune, LED RVB, Lampes LED clignotantes *
* Les couleurs de la photo ont été prises par l'appareil photo, veuillez prendre la couleur d'émission réelle en standard.
Parameter |
Symbol |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Test Condition |
Collector-Emitter Voltage |
VCEO |
|
|
30 | V |
|
Emitter-Collector Voltage |
VECO |
|
|
6.5 | V |
|
Collector Dark Current |
ICEO |
|
100 |
nA |
VCE=20V Ee=0mw/cm2 |
|
Collector-Emitter Breakdown Voltage |
Bvceo |
30 |
100 |
V |
ICBO=100uA Ee=0mw/cm2 |
|
Emitter-Collector Breakdown Voltage |
Bvceo |
6 |
|
V |
IECO=10uA |
|
Collector-Emitter Saturation Voltage |
VCE(sat) |
|
0.4 |
V |
IC=2mA IB=100uA Ee=1mw/cm2 |
|
Photocurrent 1 |
IPCE |
30 |
|
90 |
uA |
Vce=5V Ee=1mw/cm2
λP=850nm |
Photocurrent 2 |
IPCE | 90 |
|
270 | uA |
VCE=5V Ee=1mw/cm2 λP=940nm |
Current gain |
hFE |
270 |
|
900 |
uA |
VCE=5V IC=2mA |
Wavelenghth of Peak Sensitivity |
λP | 940 |
|
nm |
|
|
Range of Spectral Bandwidth |
λ0.5 |
400 |
|
1100 |
nm |
|
Response Time-Rise Time |
tR |
15 |
us |
Vce=5v Ic=1mA
RL=1000Ω |
||
Response Time-Fall Time |
tF |
|
15 |
|
us | |
Half Sensitivity angle |
△λ |
|
±10 |
|
deg |
|
Collector-base Capacitance |
CCB |
|
|
8 | PF | F=1MHz,VCB=3V |
- Connexion fil d'or -
* Afin de conserver chacune des longues durées de vie des LED, l'usine BestLED utilise un fil d'or pur élevé pour la connexion du circuit intérieur
* Nous pouvons emballer cette LED avec n'importe quel nombre de paquets et enregistrer ou plier les broches LED selon vos besoins.
Numéro De Téléphone: 86-0755-89752405
Portable: +8615815584344
E-mail : amywu@byt-light.comAdresse De Compagnie: Building No. 1 Lane 1 Liuwu Nanlian The Fifth Industry Area , Longgang, Shenzhen, Guangdong China
site Web: https://fr.bestsmd.com
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