Liste de Produits > Récepteur infrarouge> Phototransistor infrarouge à travers le paquet à 2 broches du trou
Phototransistor infrarouge à travers le paquet à 2 broches du trou
Phototransistor infrarouge à travers le paquet à 2 broches du trou
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    Additional Information

    Détails d'emballageBoîte en carton

    productivité1000000000 pcs/week

    transportOcean,Land,Air

    Lieu d'origineChine

    Soutenir7000000000 pcs/week

    Certificats GB/T19001-2008/ISO9001:2008

    Code SH8541401000

    HafenSHENZHEN

    Type de paiementT/T,Paypal

    IncotermFOB,EXW,FCA

    Attributs du produit

    Modèle3106PT850D-A3

    marqueMeilleur voyant

    Type D'alimentationFabricant d'origine

    Matériel De RéférenceFiche de données

    EspèceLED

    Type D'emballageÀ travers le trou

    CertificationOther

    UsageOther

    ApplicationElectronic Products

    Luminous IntensityHigh Directivity

    ColorOther

    FormationGold Thread

    TypeInfrared Led

    Inner PackingAnti-Static Bag

    PolarityShort Pin Mark Cathode

    Range Of Spectral Bandwidth700-1100nm

    Type Of LensBlack Lens

    Collector-Emitter Voltage30v

    Emitter-Collector Voltage5v

    Wavelenghth Of Peak Sensitivity850nm

    Package Quantity1000pcs/Bag

    Half Sensitivity Angle60degree

    1000PCS Weight200g

    Emballage & livraison
    Unités de vente: Piece/Pieces
    Type de colis: Boîte en carton

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    Vidéo d'entreprise
    Tapez la LED traversante sous forme de bande de bobine
    Description du produit

    Récepteur IR 3162PT850D-A3


    Quelle est la différence entre la performance des photodiodes et des photodransistors?

    1. Le phototransistor peut être considéré comme la structure intégrée de la photodiode et du transistor. Ses caractéristiques sont les caractéristiques de sortie de la photodiode et les caractéristiques du transistor.
    2. Les photodiodes peuvent être utilisées comme sources de tension ou de courant (c.-à-d. Cellules photovoltaïques) sans alimentation supplémentaire.
    3. Le phototransistor doit être utilisé avec une alimentation externe, de sorte qu'il puisse émettre un courant beaucoup plus élevé que la photodiode, car il a été amplifié par le transistor.

    850nm ir LED

    - Size: 

    - Chip Number: 1 chips

    - Color: 850nm 

    - Type: Black  clear

    - Chip brand: Tyntek

    - 60 degree

    - Different color are available

    - Different wavelength are available

    - Warranty: 5 Years

    - RoHS, REACH, EN62471

    - Uniform light output

    - Long life-solid state reliability

    - Low Power consumption

    -Anti UV epoxy resin package

    -High temperature resistance






    - taille de 3 mm de LED à travers une LED à travers -

    IR LED

    * Ce cas est également disponible pour d'autres voyants, tels que: LED à trou traversants verts de 5 mm, LED UV, LED 660NM, LED de 940 nm, LED traversant bleu de 5mm, LED jaune, Amber LED ect *

    - Working-Hole IR LED -

    PT850 led

    * Les couleurs sur la photo ont été prises par caméra, veuillez prendre la couleur émettrice réelle en standard.

    - Paramètre de LED IR à travers-trous -

    Parameter

    Symbol

    Min

    Typ

    Max

    Unit

    Test Condition

    Collector-Emitter Voltage

    VCEO

    30 V

    Emitter-Collector Voltage

    VECO

    5 V

    Collector Dark Current

    ICEO


    100

    nA

    VCE=20V

    Ee=0mw/cm2

    Collector-Emitter

    Breakdown Voltage

    Bvceo

    30

    100

    V

    ICBO=100uA

    Ee=0mw/cm2

    Emitter-Collector

    Breakdown Voltage

    Bvceo

    6


    V

    IECO=10uA

    Collector-Emitter

    Saturation Voltage

    VCE(sat)


    0.4

    V

    IC=2mA

    IB=100uA

    Ee=1mw/cm2

    Photocurrent 1

    IPCE

    30


    90

    uA

    Vce=5V

    Ee=1mw/cm2

    λP=850nm

    Photocurrent 2

    IPCE 90
    270 uA

    VCE=5V

    Ee=1mw/cm2

    λP=940nm

    Current gain

    hFE

    270


    900

    uA

    VCE=5V

    IC=2mA

    Wavelenghth of Peak Sensitivity

    λP 850


    nm


    Range of Spectral Bandwidth

    λ0.5

    400


    1100

    nm


    Response Time-Rise Time

    tR

    15

    us

    Vce=5v

    Ic=1mA

    RL=1000Ω

    Response Time-Fall Time

    tF
    15
    us

    Half Sensitivity angle

    △λ

    ±10

    deg

    Collector-base Capacitance

    CCB

    8 PF F=1MHz,VCB=3V

    - Connexion en fil d'or -

    infrared led

    * Afin de garder chacun une longue durée de vie de LED, godé l'usine utilise un fil d'or puissant élevé pour une connexion de circuit intérieur

    - Emballage de LED IR -

    infrared LED packaged

    * Nous pouvons emballer cette LED avec n'importe quel nombre de packages et enregistrés ou pliez les broches LED comme condition.

    - LED infrarouge connexe -

    IR LED

    - Processus de production -

    LED LAMP

    - Through-trou IR LED -

    Through -hol led

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